北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。大興區(qū)經(jīng)信局副局長項延寬、黃村鎮(zhèn)人民政府副鎮(zhèn)長劉琦、天科合達總經(jīng)理楊建、天科合達常務(wù)副總經(jīng)理彭同華等政府和企業(yè)代表參加了此次開工儀式。

據(jù)了解，該二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。

該項目用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

楊建總經(jīng)理在致辭中表示：“公司核心產(chǎn)品為6-8英寸碳化硅襯底，技術(shù)參數(shù)指標與國際龍頭企業(yè)相當(dāng)，產(chǎn)品質(zhì)量達到國際先進水平，已向國內(nèi)外多家企業(yè)及科研機構(gòu)批量供應(yīng)，為國產(chǎn)碳化硅材料在功率器件、微波射頻器件等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。同時，公司的產(chǎn)品暢銷至日本及歐美在內(nèi)的20多個國家和地區(qū)，是國內(nèi)少數(shù)能夠進入國際知名企業(yè)的高端技術(shù)產(chǎn)品?！?/p>

天科合達表示，在國家積極推進半導(dǎo)體行業(yè)進步的大環(huán)境下，迅速響應(yīng)國家戰(zhàn)略需求，專注于第三代半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新研發(fā)及量產(chǎn)工作。隨著北京二期項目的啟動，標志著天科合達開啟了嶄新的發(fā)展篇章，同時為區(qū)域經(jīng)濟的蓬勃發(fā)展注入了新的動力。該項目不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)進步和產(chǎn)能擴張，也能通過優(yōu)化生產(chǎn)流程和提高效率，有效降低成本